Semikonduktora komponentu pārstrāde ir galvenais solis pusvadītāju un integrēto shēmu ra?o?anā, galvenokārt ieskaitot ?ādus solījumus: slodzes slodze: slodzes slodze ir polikristāliskā silīcija materiāla kausī?anas process vienā kristālā silīcija slodzes iekārtās augstas temperatūrā, kas ir pamats pusvadītāju materiālu ra?o?anai. Slīdē?ana: Nogriezt monokristālisku silīcija ingotu plāksnītēs, lai iegūtu silīcija plāksnītes. Grinding Disks: Grinding diski tiek izmantoti silīcija plāksnītes virsmas izlīdzinā?anai, lai izpildītu turpmākās apstrādes prasības. Polija: Polija ir silīcija vasaras virsmas turpmāka apstrāde, lai padarītu to vieglāku, samazinātu virsmas neapgrūtību un uzlabotu ierīces darbības rādītājus. Epitaxy: Epitaxy ir process, ar ko aug vienreizējas kristāla silīcija slāni silīcija vafērā, ko parasti izmanto integrētu shēmu un mikroelektronisku ierī?u ra?o?anai. Oksidācija: oksidācija ir silīcija plāksnītes noteik?anas process augstas temperatūras oksidātā, lai veidotu oksīda plēves slāni uz tās virsmas. Aksīda plēve var aizsargāt silīcija plēves virsmu un mainīt tās virsmas īpa?ības, kas ir noderīgas da?ādu ierī?u ra?o?anai. Doping: Doping ir piemaisījumu ievie?anas process silīcija va?ā, lai mainītu tās elektriskās īpa?ības. Doing is one of the key steps in manufacturing semiconductor devices, which can control the conductivity of the devices. Welding: Welding is the process of connecting semiconductor devices and circuit boards together, usually using methods such as welding, bonding or crimping. Testē?ana un iepako?ana: testē?ana ir pusvadītāju ierī?u funkcionalitātes un darbības pārbaudes process, kas atbilst prasībām; Encapsulācija ir pusvadītāju ierī?u encapsulācijas process aizsardzības kasē, lai aizsargātu tās no ārējām vides un mehāniskām kaitējumiem. Lai nodro?inātu apstrādāto pusvadītāju ierī?u un integrēto shēmu darbību un kvalitāti, pusvadītāju komponentu pārstrādei nepiecie?amas augstas precizitātes 颈别办ā谤迟补蝉 un stingras kvalitātes kontroles sistēmas