51吃瓜

1. o processo de circuito integrado de chip único utiliza um conjunto completo de tecnologias de processo planar tais como moagem, polimento, oxida??o, difus?o, fotolitografia, crescimento epitaxial, e evapora??o para fabricar simultaneamente transistores, diodos, resistores, capacitores, e outros componentes em uma pequena bolacha de cristal único de silício, e usa certas técnicas de isolamento para isolar cada componente uns dos outros em termos de desempenho elétrico. Em seguida, uma camada de alumínio é evaporada na superfície da bolacha de silício e gravada em um padr?o de interconex?o usando a tecnologia de fotolitografia, permitindo que os componentes se interconectem em um circuito completo conforme necessário, e produzindo um circuito integrado de chip único semicondutor.

Circuito integrado de chip único

Com o desenvolvimento de circuitos integrados de chip único de pequena a média escala a circuitos integrados de grande escala e ultra grande escala, a tecnologia de processo planar também foi desenvolvida. Por exemplo, a dopagem por difus?o é substituída pelo processo de dopagem por implanta??o i?nica; A litografia convencional UV desenvolveu-se em um conjunto completo de tecnologias de microfabrica??o, tais como fabrica??o de placas de exposi??o de feixe de elétrons, grava??o a plasma, moagem de íons reativos, etc; O crescimento epitaxial também adota tecnologia de epitaxia de feixe molecular ultra-alto vácuo; Usando tecnologia química de deposi??o de vapor para fabricar silício policristalino, dióxido de silício e filmes de passiva??o de superfície; Além de usar alumínio ou ouro, as linhas finas de interconex?o também adotam processos como deposi??o química de vapor filmes finos de silício policristalino fortemente dopados e filmes finos de silicete de metal precioso, bem como estruturas de interconex?o multicamadas.

Um circuito integrado de chip único é um circuito integrado que implementa independentemente fun??es de circuito unitário sem a necessidade de componentes externos. Para alcan?ar a integra??o de chip único, é necessário abordar a integra??o de resistores, capacitores e dispositivos de potência difíceis de miniaturizar, bem como a quest?o de isolar cada componente um do outro em termos de desempenho do circuito.

2. o transistor, diodo, resistor, capacitor, indutor e outros componentes de todo o circuito, bem como suas interconex?es, s?o todos feitos de metal, semicondutor, óxido de metal, várias fases mistas de metal, ligas ou filmes dielétricos isolantes com uma espessura de menos de 1 mícron, e sobrepostos pelo processo de evapora??o a vácuo, processo de pulveriza??o e processo de galvanoplastia. O circuito integrado feito por este processo é chamado de circuito integrado de filme fino. Processo principal:

Circuito Integrado de Filme Fino

① De acordo com o diagrama de circuito, primeiro divida-o em vários diagramas de componentes funcionais, em seguida, use o método de layout planar para convertê-los em diagramas de layout de circuito planar no substrato e, em seguida, use o método de fabrica??o de placas fotográficas para produzir modelos de rede de filme grosso para serigrafia

② Os principais processos para a fabrica??o de redes de filme grosso em substratos s?o impress?o, sinteriza??o e ajuste de resistência. O método de impress?o comumente usado é serigrafia.

① Durante o processo de sinteriza??o, o aglutinante org?nico se decomp?e e evapora completamente, e o pó sólido derrete, decomp?e-se e combina para formar um filme grosso denso e forte. A qualidade e o desempenho dos filmes espessos est?o intimamente relacionados com o processo de sinteriza??o e a atmosfera ambiental.A taxa de aquecimento deve ser lenta para garantir a elimina??o completa da matéria org?nica antes do fluxo de vidro; O tempo de sinteriza??o e a temperatura máxima dependem da polpa e da estrutura da membrana usadas. Para evitar rachaduras do filme grosso, a taxa de resfriamento também deve ser controlada. O forno de sinteriza??o comumente usado é o forno de túnel.

① Para alcan?ar o desempenho ideal de redes de filme grosso, os resistores precisam ser ajustados após o disparo. Métodos comuns de ajuste de resistência incluem jateamento de areia, laser e ajuste de pulso de tens?o.

3. a tecnologia de circuito integrado de filme grosso usa serigrafia para depositar revestimentos de resistência, dielétrico e condutor em óxido de alumínio, cer?mica de óxido de berílio ou substratos de carboneto de silício. O processo de deposi??o envolve o uso de uma malha de arame fina para criar padr?es de vários filmes. Este padr?o é feito usando métodos fotográficos, e látex é usado para bloquear os furos de malha em qualquer área onde nenhum revestimento é depositado. Após a limpeza, o substrato de alumina é impresso com revestimento condutor para formar linhas de conex?o internas, áreas de solda do terminal do resistor, áreas de ades?o do chip, eletrodos inferiores do capacitor e filmes condutores. Após a secagem, as pe?as s?o cozidas a uma temperatura entre 750 e 950 ℃ para formar, evaporar o adesivo, sinterizar o material condutor e, em seguida, usar processos de impress?o e queima para produzir resistores, capacitores, jumpers, isoladores e selos de cor. Os dispositivos ativos s?o fabricados usando processos como soldagem eutética baixa, soldagem por refluxo, soldagem por invers?o de colis?o de baixo ponto de fus?o ou chumbo tipo feixe, e ent?o montados em um substrato queimado.

circuito integrado de filme grosso

A espessura do filme dos circuitos grossos do filme é geralmente 7-40 mícrons. O processo de prepara??o de fia??o multicamada usando tecnologia de filme grosso é relativamente conveniente, e a compatibilidade da tecnologia multicamada é boa, o que pode melhorar muito a densidade de montagem da integra??o secundária. Além disso, os processos de pulveriza??o por plasma, pulveriza??o por chama, impress?o e colagem s?o todas novas tecnologias de processo de filme grosso. Semelhante aos circuitos integrados de filme fino, os circuitos integrados de filme grosso também usam processos híbridos porque os transistores de filme grosso ainda n?o s?o práticos.

4. características do processo: circuitos integrados de chip único e circuitos integrados de filme fino e filme grosso cada um tem suas próprias características e podem complementar-se mutuamente. A quantidade de circuitos gerais e circuitos padr?o é grande, e circuitos integrados de chip único podem ser usados. Para circuitos de baixa demanda ou n?o padronizados, geralmente é utilizado um processo híbrido, que envolve o uso de circuitos integrados padronizados de chip único e circuitos integrados híbridos com componentes ativos e passivos. Os circuitos integrados de filme grosso e filme fino cruzam-se entre si em determinadas aplica??es. O equipamento de processo usado na tecnologia de filme grosso é relativamente simples, o projeto do circuito é flexível, o ciclo de produ??o é curto e a dissipa??o de calor é boa. Portanto, é amplamente utilizado em circuitos com alta tens?o, alta potência e requisitos de toler?ncia menos rigorosos para componentes passivos. Além disso, devido à facilidade de conseguir fia??o multicamada no processo de fabrica??o de circuitos de filme grosso, chips de circuito integrado em grande escala podem ser montados em circuitos integrados de ultra grande escala em aplica??es mais complexas além das capacidades de circuitos integrados de chip único ou multifuncional chips de circuito integrado de chip único também podem ser montados em componentes multifuncionais ou mesmo máquinas pequenas.

5. Uso e precau??es: (1) Os circuitos integrados n?o s?o autorizados a exceder seus valores limite durante o uso. Quando a tens?o da fonte de alimenta??o muda em n?o mais de 10% do valor nominal, os par?metros elétricos devem cumprir os valores especificados. Quando a fonte de alimenta??o usada no circuito é ligada e desligada, n?o deve haver tens?o instant?nea gerada, caso contrário, fará com que o circuito quebre.

(2) A temperatura operacional dos circuitos integrados é geralmente entre -30 ~ 85 ℃, e eles devem ser instalados o mais longe possível das fontes de calor.

(3) Ao soldar manualmente circuitos integrados, ferros de solda com uma potência superior a 45W n?o devem ser usados, e o tempo de solda contínuo n?o deve exceder 10 segundos.

(4) Para circuitos integrados MOS, é necessário evitar a ruptura eletrostática da indu??o da porta.

O acima é uma introdu??o à tecnologia de circuito integrado. Actualmente, os circuitos integrados de chip único n?o est?o apenas a desenvolver-se para uma integra??o mais elevada, mas também para circuitos lineares, de alta frequência e circuitos analógicos de alta potência. No entanto, em termos de circuitos integrados de microondas e circuitos integrados de alta potência, os circuitos integrados híbridos de filme fino e filme grosso ainda têm vantagens. Na sele??o específica, vários tipos de circuitos integrados de chip único s?o frequentemente combinados com processos de integra??o de filme espesso e filme fino, especialmente rede de resistores de precis?o e substratos de rede de capacitores de resistores de resistores de filme espesso e bandas de condu??o para formar um circuito complexo e completo. Quando necessário, componentes ultra pequenos individuais podem até ser conectados para formar pe?as ou toda a máquina.