English
Spanish
Arabic
Spanish Basque
Portuguese
Belarusian
Japanese
Russian
Icelandic
Bulgarian
Azerbaijani
Estonian
Irish
Polish
Persian
Boolean
Danish
German
French
Filipino
Finnish
Korean
Dutch
Galician
Catalan
Croatian
Latin
Latvian
Romanian
Maltese
Malay
Macedonian
Norwegian
Swedish
Serbian
Slovak
Slovenian
Swahili
Thai
Turkish
Welsh
Urdu
Ukrainian
Greek
Hungarian
Italian
Yiddish
Indonesian
Vietnamese
¼òÌåÖÐÎÄ
Haitian Creole
1. Jedno?ipov? proces integrovan¨¦ho obvodu vyu?¨ªv¨¢ kompletn¨ª sadu rovinn?ch procesn¨ªch technologi¨ª, jako je brou?en¨ª, le?t¨§n¨ª, oxidace, difuze, fotolitografie, epitaxi¨¢ln¨ª r?st a odpa?ov¨¢n¨ª, aby sou?asn¨§ vyr¨¢b¨§ly tranzistory, diody, rezistory, kondenz¨¢tory a dal?¨ª sou?¨¢sti na mal¨¦m k?em¨ªkov¨¦m jednokrystalov¨¦m desti?ce a pou?¨ªv¨¢ ur?it¨¦ izola?n¨ª techniky k izolaci jednotliv?ch komponent od sebe z hlediska elektrick¨¦ho v?konu. Pot¨¦ se na povrchu k?em¨ªkov¨¦ desti?ky odpa?¨ª hlin¨ªkov¨¢ vrstva a lept¨¢ do vzoru propojen¨ª pomoc¨ª fotolitografick¨¦ technologie, co? umo?¨¾uje sou?¨¢sti propojit do kompletn¨ªho obvodu podle pot?eby a vytv¨¢?¨ª polovodi?ov? jedno?ipov? integrovan? obvod.
Jedno?ipov? integrovan? obvod
S v?vojem jedno?ipov?ch integrovan?ch obvod? od mal¨¦ho a? st?edn¨ªho m¨§?¨ªtka a? po velk¨¦ a ultra velk¨¦ integrovan¨¦ obvody byla tak¨¦ vyvinuta rovinn¨¢ procesn¨ª technologie. Nap?¨ªklad difuzn¨ª doping je nahrazen iontov?m implanta?n¨ªm dopingov¨¢n¨ªm; UV konven?n¨ª litografie se vyvinula do kompletn¨ª sady mikrov?robn¨ªch technologi¨ª, jako je v?roba expozi?n¨ªch desek elektronov?m paprskem, plazmov¨¦ lept¨¢n¨ª, reaktivn¨ª iontov¨¦ fr¨¦zov¨¢n¨ª atd; Epitaxi¨¢ln¨ª r?st tak¨¦ p?ij¨ªm¨¢ technologii epitaxie ultravysok¨¦ho vakuov¨¦ho molekul¨¢rn¨ªho paprsku; Pou?it¨ª technologie chemick¨¦ parn¨ª depozice k v?rob¨§ polykrystalick¨¦ho k?em¨ªku, oxidu k?em¨ªku a povrchov?ch pasiva?n¨ªch vrstev; Krom¨§ pou?it¨ª hlin¨ªku nebo zlata, propojovac¨ª tenk¨¦ linky tak¨¦ p?ij¨ªmaj¨ª procesy, jako je chemick¨¢ depozice v par¨§ siln¨§ dopovan¨¦ polykrystalick¨¦ tenk¨¦ vrstvy k?em¨ªku a tenk¨¦ vrstvy k?emi?it?ch drah?ch kov?, stejn¨§ jako v¨ªcevrstv¨¦ propojovac¨ª struktury.
Jedno?ipov? integrovan? obvod je integrovan? obvod, kter? nez¨¢visle realizuje funkce jednotkov?ch obvod? bez pot?eby extern¨ªch komponent. Pro dosa?en¨ª integrace s jedno?ipem je nutn¨¦ ?e?it integraci odpor?, kondenz¨¢tor? a v?konov?ch ³ú²¹?¨ª³ú±ð²Ô¨ª, kter¨¦ jsou obt¨ª?n¨§ miniaturizovateln¨¦, stejn¨§ jako ot¨¢zku izolace jednotliv?ch komponent od sebe navz¨¢jem z hlediska v?konu obvodu.
2. Transistor, dioda, odpor, kondenz¨¢tor, induktor a dal?¨ª sou?¨¢sti cel¨¦ho obvodu, stejn¨§ jako jejich propojen¨ª, jsou vyrobeny z kovu, polovodi?e, oxidu kov?, r?zn?ch kovov?ch sm¨ª?en?ch f¨¢z¨ª, slitin nebo izola?n¨ªch dielektrick?ch vrstev o tlou??ce m¨¦n¨§ ne? 1 mikron a p?ekryty vakuov?m odpa?ov¨¢n¨ªm, procesem napra?ov¨¢n¨ª a galvanick?m procesem. Integrovan? obvod vyroben? t¨ªmto procesem se naz?v¨¢ tenkovrstv? integrovan? obvod. Hlavn¨ª proces:
000 @ 000 Tenkovrstv? integrovan? obvod
¢Ù Podle sch¨¦matu obvod? jej nejprve rozd¨§lte do n¨§kolika diagram? funk?n¨ªch sou?¨¢st¨ª, pot¨¦ pou?ijte metodu rovinn¨¦ho uspo?¨¢d¨¢n¨ª k jejich konverzi na rovinn¨¦ diagramy rozlo?en¨ª obvod? na substr¨¢tu a pot¨¦ pou?ijte metodu v?roby fotografick?ch desek k v?rob¨§ ?ablon s¨ªt¨§ tlust?ch vrstev pro s¨ªtotisk
¢Ú Hlavn¨ªmi procesy pro v?robu s¨ªt¨ª tlust?ch vrstev na substr¨¢tech jsou tisk, sp¨¦k¨¢n¨ª a lad¨§n¨ª odporu. B¨§?n¨§ pou?¨ªvanou metodou tisku je s¨ªtotisk.
¢Û B¨§hem procesu slinov¨¢n¨ª se organick¨¦ pojivo zcela rozkl¨¢d¨¢ a odpa?uje a pevn? pr¨¢?ek se rozpust¨ª, rozkl¨¢d¨¢ a kombinuje, aby vytvo?il hust? a siln? tlust? film. Kvalita a v?kon tlust?ch vrstev ¨²zce souvis¨ª s procesem slinov¨¢n¨ª a atmosf¨¦rou ?ivotn¨ªho prost?ed¨ª. Rychlost oh?evu by m¨§la b?t pomal¨¢, aby bylo zaji?t¨§no ¨²pln¨¦ odstran¨§n¨ª organick?ch l¨¢tek p?ed proud¨§n¨ªm skla; Doba sp¨¦k¨¢n¨ª a maxim¨¢ln¨ª teplota z¨¢vis¨ª na pou?it¨¦ struktu?e kaly a membr¨¢ny. Aby se zabr¨¢nilo prasknut¨ª tlust¨¦ho filmu, m¨§la by b?t tak¨¦ kontrolov¨¢na rychlost chlazen¨ª. B¨§?n¨§ pou?¨ªvanou slinovac¨ª pec¨ª je tunelov¨¢ pec.
¢Ü Pro dosa?en¨ª optim¨¢ln¨ªho v?konu s¨ªt¨ª s tlust?mi vrstvami je t?eba po vyp¨¢len¨ª nastavit odpory. B¨§?n¨¦ metody nastaven¨ª odporu zahrnuj¨ª p¨ªskov¨¢n¨ª, laser a nastaven¨ª pulzu nap¨§t¨ª.
3. Technologie integrovan?ch obvod? s tlustou vrstvou vyu?¨ªv¨¢ s¨ªtotisk k ulo?en¨ª odporov?ch, dielektrick?ch a vodi?ov?ch povlak? na oxid hlinit?, keramiku oxidu beryllium nebo substr¨¢ty karbidu k?em¨ªku. Proces depozice zahrnuje pou?it¨ª jemn¨¦ dr¨¢t¨§n¨¦ s¨ªt¨§ k vytvo?en¨ª vzor? r?zn?ch film?. Tento vzor je vyroben fotografick?mi metodami a latex se pou?¨ªv¨¢ k blokov¨¢n¨ª s¨ª?ov?ch otvor? v jak?chkoli oblastech, kde nen¨ª ulo?en ?¨¢dn? n¨¢t¨§r. Po ?i?t¨§n¨ª je hlinit? substr¨¢t poti?t¨§n vodiv?m povlakem, kter? vytvo?¨ª vnit?n¨ª spojovac¨ª veden¨ª, p¨¢jec¨ª oblasti rezistorov?ch svorek, adhezn¨ª oblasti ?ip?, elektrody spodn¨ªho kondenz¨¢toru a vodi?ov¨¦ filmy. Po vysu?en¨ª jsou ?¨¢sti pe?eny p?i teplot¨§ mezi 750 a 950 ¡æ k vytvo?en¨ª, odpa?en¨ª lepidla, sp¨¦k¨¢n¨ª vodi?ov¨¦ho materi¨¢lu a pot¨¦ pou?it¨ª tiskov?ch a paliv?ch proces? k v?rob¨§ rezistor?, kondenz¨¢tor?, jumper?, izol¨¢tor? a barevn?ch t¨§sn¨§n¨ª. Aktivn¨ª ³ú²¹?¨ª³ú±ð²Ô¨ª jsou vyr¨¢b¨§ny pomoc¨ª proces?, jako je n¨ªzk¨¦ eutektick¨¦ sva?ov¨¢n¨ª, odrazov¨¦ p¨¢jen¨ª, inverzn¨ª p¨¢jen¨ª s n¨ªzk?m bodem taven¨ª nebo vodi? typu paprsku, a pot¨¦ namontov¨¢ny na sp¨¢len? substr¨¢t. Pot¨¦ jsou vodi?e p¨¢jeny tak, aby vytvo?ily obvody s tlustou vrstvou.
000 @ 000 integrovan? obvod se silnou vrstvou
Tlou??ka filmu obvod? s tlustou vrstvou je obecn¨§ 7-40 mikron?. Proces p?¨ªpravy v¨ªcevrstv¨¦ho zapojen¨ª pomoc¨ª technologie tlust¨¦ho filmu je relativn¨§ pohodln? a kompatibilita v¨ªcevrstv¨¦ technologie je dobr¨¢, co? m??e v?razn¨§ zlep?it mont¨¢?n¨ª hustotu sekund¨¢rn¨ª integrace. Krom¨§ toho jsou procesy plazmov¨¦ho post?ikov¨¢n¨ª, plamenov¨¦ho post?ikov¨¢n¨ª, tisku a lepen¨ª nov?mi technologiemi zpracov¨¢n¨ª tlust?ch vrstev. Podobn¨§ jako tenkovrstv¨¦ integrovan¨¦ obvody vyu?¨ªvaj¨ª integrovan¨¦ obvody s tlustou vrstvou tak¨¦ hybridn¨ª procesy, proto?e tlustou vrstvou tranzistory je?t¨§ nejsou praktick¨¦.
4. Procesn¨ª charakteristiky: Jedno?ipov¨¦ integrovan¨¦ obvody a tenkovrstv¨¦ a tlust¨¦ vrstvy integrovan¨¦ obvody maj¨ª ka?d? sv¨¦ vlastn¨ª vlastnosti a mohou se navz¨¢jem dopl¨¾ovat. Mno?stv¨ª obecn?ch obvod? a standardn¨ªch obvod? je velk¨¦ a lze pou?¨ªt jedno?ipov¨¦ integrovan¨¦ obvody. U n¨ªzk¨¦ popt¨¢vky nebo nestandardn¨ªch obvod? se obecn¨§ pou?¨ªv¨¢ hybridn¨ª proces, kter? zahrnuje pou?it¨ª standardizovan?ch jedno?ipov?ch integrovan?ch obvod? a hybridn¨ªch integrovan?ch obvod? s aktivn¨ªmi a pasivn¨ªmi komponenty. integrovan¨¦ obvody s tlustou vrstvou a tenkou vrstvou se vz¨¢jemn¨§ prot¨ªnaj¨ª v ur?it?ch aplikac¨ªch. Procesn¨ª ³ú²¹?¨ª³ú±ð²Ô¨ª pou?¨ªvan¨¦ v technologii tlust?ch vrstev je relativn¨§ jednoduch¨¦, konstrukce obvod? je flexibiln¨ª, v?robn¨ª cyklus je kr¨¢tk? a odvod tepla je dobr?. Proto je ?iroce pou?¨ªv¨¢n v obvodech s vysok?m nap¨§t¨ªm, vysok?m v?konem a m¨¦n¨§ p?¨ªsn?mi po?adavky na toleranci pasivn¨ªch komponent. Nav¨ªc d¨ªky snadn¨¦mu dosa?en¨ª v¨ªcevrstv¨¦ho zapojen¨ª ve v?robn¨ªm procesu obvod? s tlustou vrstvou mohou b?t velk¨¦ ?ipy integrovan?ch obvod? sestaveny do ultra velk?ch integrovan?ch obvod? ve slo?it¨§j?¨ªch aplikac¨ªch nad r¨¢mec mo?nost¨ª integrovan?ch obvod? s jedno?ipem nebo multifunk?n¨ª ?ipy s jedno?ipem mohou b?t tak¨¦ sestaveny do multifunk?n¨ªch komponent nebo dokonce mal?ch stroj?.
5. Pou?it¨ª a opat?en¨ª: (1) Integrovan¨¦ obvody nesm¨ª b¨§hem pou?¨ªv¨¢n¨ª p?ekro?it sv¨¦ mezn¨ª hodnoty. Pokud se nap¨§t¨ª nap¨¢jen¨ª nap¨¢jen¨ª zm¨§n¨ª o nejv??e 10% jmenovit¨¦ hodnoty, elektrick¨¦ parametry by m¨§ly spl¨¾ovat stanoven¨¦ hodnoty. P?i zapnut¨ª a vypnut¨ª nap¨¢jec¨ªho zdroje pou?it¨¦ho v obvodu nesm¨ª b?t vytvo?eno ?¨¢dn¨¦ okam?it¨¦ nap¨§t¨ª, jinak to zp?sob¨ª poruchu obvodu.
(2) Provozn¨ª teplota integrovan?ch obvod? je obecn¨§ mezi -30~85 ¡æ, a m¨§ly by b?t instalov¨¢ny co nejd¨¢le od zdroj? tepla.
(3) P?i ru?n¨ªm p¨¢jen¨ª integrovan?ch obvod? by nem¨§ly b?t pou?¨ªv¨¢ny p¨¢jky s v?konem v¨§t?¨ªm ne? 45W a nep?etr?it¨¢ doba p¨¢jen¨ª by nem¨§la p?ekro?it 10 sekund.
(4) U integrovan?ch obvod? MOS je nutn¨¦ zabr¨¢nit elektrostatick¨¦mu v?padku indukce br¨¢ny.
V??e uveden¨¦ je ¨²vodem do technologie integrovan?ch obvod?. V sou?asn¨¦ dob¨§ se jedno?ipov¨¦ integrovan¨¦ obvody rozv¨ªjej¨ª nejen sm¨§rem k vy??¨ª integraci, ale tak¨¦ k vysoce v?konn?m line¨¢rn¨ªm, vysokofrekven?n¨ªm obvod?m a analogov?m obvod?m. Nicm¨¦n¨§, pokud jde o mikrovlnn¨¦ integrovan¨¦ obvody a integrovan¨¦ obvody s vysok?m v?konem, tenkovrstv¨¦ a tlustou vrstvou hybridn¨ª integrovan¨¦ obvody maj¨ª st¨¢le v?hody. P?i specifick¨¦m v?b¨§ru jsou r?zn¨¦ typy jedno?ipov?ch integrovan?ch obvod? ?asto kombinov¨¢ny s procesy integrace tlust?ch vrstev a tenk?ch vrstev, zejm¨¦na p?esn¨¦ rezistorov¨¦ s¨ªt¨§ a rezistorov¨¦ kondenz¨¢torov¨¦ s¨ª?ov¨¦ substr¨¢ty jsou p?ipojeny na substr¨¢ty sestaven¨¦ z tlust?ch vrstev rezistor? a vodic¨ªch p¨¢s?, aby vytvo?ily komplexn¨ª a kompletn¨ª obvod. V p?¨ªpad¨§ pot?eby lze jednotliv¨¦ ultra mal¨¦ komponenty dokonce p?ipojit k tvarov?m d¨ªl?m nebo k cel¨¦mu stroji.
