51吃瓜

1. Proces jednoczesnego uk?adu scalonego wykorzystuje kompletny zestaw p?askich technologii procesów, takich jak szlifowanie, polerowanie, utlenianie, dyfuzja, fotolitografia, wzrost epitaksyczny i parowanie, aby jednocze?nie produkowa? tranzystory, diody, rezystory, kondensatory i inne komponenty na ma?ym krzemowym p?ytce jednokrystalicznym i wykorzystuje pewne techniki izolacji, aby odizolowa? ka?dy komponent od siebie pod wzgl?dem wydajno?ci elektrycznej. Nast?pnie warstwa aluminiowa jest odparowywana na powierzchni p?ytki krzemowej i trawiona w wzór po??czeń przy u?yciu technologii fotolitografii, pozwalaj?c komponentom wzajemnie po??czy? si? w kompletny obwód w razie potrzeby i tworz?c pó?przewodnikowy uk?ad scalony z jednym uk?adem scalonym.

Jednouk?adowy uk?ad scalony

Wraz z rozwojem uk?adów scalonych pojedynczego uk?adu scalonego od ma?ej do ?redniej skali do obwodów scalonych na du?? skal? i ultra du?? skal? opracowano równie? technologi? procesu planarnego. Na przyk?ad doping dyfuzyjny jest zast?powany procesem dopingowania jonowego; Litografia konwencjonalna UV rozwin??a si? w kompletny zestaw technologii mikrofabrykacji, takich jak wytwarzanie p?yt ekspozycyjnych wi?zk? elektronow?, trawienie plazmowe, frezowanie reaktywne jonowe itp; Epitaksjalny wzrost przyjmuje równie? technologi? epitaksji wi?zki molekularnej ultrawysokiej pró?ni; Wykorzystanie technologii chemicznego osadzania pary do produkcji polikrystalicznego krzemu, dwutlenku krzemu i powierzchniowych warstw pasywacji; Oprócz u?ycia aluminium lub z?ota cienkie linie po??czeń wzajemnych przyjmuj? równie? procesy, takie jak chemiczne osadzanie si? par? mocno dotowane cienkie warstwy polikrystalicznego krzemu i cienkie warstwy krzemku metali szlachetnych, a tak?e wielowarstwowe struktury po??czeń.

Jednouk?adowy uk?ad scalony to uk?ad scalony, który niezale?nie realizuje funkcje uk?adu scalonego bez konieczno?ci stosowania komponentów zewn?trznych. Aby osi?gn?? integracj? z pojedynczym uk?adem, konieczne jest zaj?cie si? integracj? trudnych do miniaturyzacji rezystorów, kondensatorów i urz?dzeń zasilaj?cych, a tak?e kwesti? izolacji ka?dego komponentu od siebie pod wzgl?dem wydajno?ci obwodu.

2. Transzystor, dioda, rezystor, kondensator, induktor i inne elementy ca?ego obwodu, a tak?e ich po??czenia, s? wykonane z metalu, pó?przewodnika, tlenku metalu, ró?nych faz mieszanych metali, stopów lub izolacyjnych warstw dielektrycznych o grubo?ci mniej ni? 1 mikron i nak?adane przez proces parowania pró?niowego, proces rozpylania i proces galwanizacji. Uk?ad scalony wykonany w tym procesie nazywa si? cienkowarstwowym uk?adem scalonym. G?ówny proces:

000 @ 000 Cienkowarstwowy uk?ad zintegrowany

① Zgodnie z schematem obwodu, najpierw podziel go na kilka schematów funkcjonalnych sk?adników, a nast?pnie u?yj metody uk?adu planarnego, aby przekonwertowa? je na planarne schematy uk?adu obwodów na pod?o?u, a nast?pnie u?yj metody tworzenia p?yt fotograficznych do produkcji szablonów sieci grubych warstw do sitodruku

② G?ównymi procesami produkcji sieci grubowarstwowych na pod?o?ach s? drukowanie, spiekanie i dostrajanie oporu. Powszechnie stosowan? metod? druku jest sitodruk.

③ Podczas procesu spiekania spoiwo organiczne ca?kowicie si? rozk?ada i paruje, a sta?y proszek topi, rozk?ada si? i ??czy si?, tworz?c g?st? i siln? grub? warstw?. Jako?? i wydajno?? grubych warstw s? ?ci?le zwi?zane z procesem spiekania i atmosfer? ?rodowiskow?.Szybko?? ogrzewania powinna by? powolna, aby zapewni? ca?kowit? eliminacj? materii organicznej przed przep?ywem szk?a; Czas spiekania i temperatura szczytowa zale?? od zastosowanej struktury gnoju i membrany. Aby zapobiec p?kni?ciu grubej warstwy, nale?y równie? kontrolowa? szybko?? ch?odzenia. Powszechnie stosowanym piecem spiekaj?cym jest piec tunelowy.

④ Aby osi?gn?? optymaln? wydajno?? sieci grubowarstwowych, rezystory musz? by? regulowane po wypalaniu. Wspólne metody regulacji oporu obejmuj? piaskowanie, laser i regulacj? impulsu napi?cia.

3. Grubowarstwa technologia uk?adu scalonego wykorzystuje sitodruk do osadzania pow?ok rezystancyjnych, dielektrycznych i przewodnikowych na tlenku glinu, ceramice tlenku berylu lub pod?o?ach w?glika krzemu. Proces osadzania polega na wykorzystaniu drobnej siatki drucianej do tworzenia wzorów ró?nych folii. Ten wzór wykonany jest metodami fotograficznymi, a lateks jest u?ywany do blokowania otworów siatki w dowolnych miejscach, w których nie osadza si? pow?oka. Po czyszczeniu pod?o?e glinu jest drukowane pow?ok? przewodz?c? w celu utworzenia wewn?trznych linii po??czeniowych, obszarów lutowania końcowego rezystora, obszarów adhezji chipów, elektrod dolnych kondensatora i folii przewodników. Po wyschni?ciu cz??ci s? pieczone w temperaturze od 750 do 950 ℃, aby utworzy?, odparowa? klej, spieka? materia? przewodnika, a nast?pnie u?ywa? procesów drukowania i wypalania do produkcji rezystorów, kondensatorów, z??czy, izolatorów i uszczelnień kolorowych. Urz?dzenia aktywne s? produkowane przy u?yciu procesów takich jak spawanie niskiej eutektyczno?ci, lutowanie odblaskowe, lutowanie uderzeniowe o niskim punkcie topnienia lub o?ów typu wi?zki, a nast?pnie montowane na spalonym pod?o?u, a nast?pnie lutowane s? w celu utworzenia obwodów grubowarstwowych.

000 @ 000 grubowarstwowy uk?ad scalony

Grubo?? warstwy obwodów grubowarstwowych wynosi zazwyczaj 7-40 mikronów. Proces przygotowywania okablowania wielowarstwowego przy u?yciu technologii grubowarstwowej jest stosunkowo wygodny, a kompatybilno?? technologii wielowarstwowej jest dobra, co mo?e znacznie poprawi? g?sto?? monta?u wtórnej integracji. Ponadto opryskiwanie plazmowe, natryskiwanie p?omieniem, drukowanie i wklejanie s? nowymi technologiami procesu grubowarstwowego. Podobnie jak cienkowarstwowe uk?ady scalone, grubowarstwowe uk?ady scalone wykorzystuj? równie? procesy hybrydowe, poniewa? tranzystory grubowarstwowe nie s? jeszcze praktyczne.

4. Charakterystyka procesu: Pojedynczy uk?ad scalony oraz cienkowarstwowe i grubowarstwowe uk?ady scalone maj? swoje w?asne cechy i mog? si? nawzajem uzupe?nia?. Ilo?? obwodów ogólnych i obwodów standardowych jest du?a, a mo?na stosowa? uk?ady scalone z jednym uk?adem. W przypadku uk?adów o niskim zapotrzebowaniu lub niestandardowych zazwyczaj stosuje si? proces hybrydowy, który polega na wykorzystaniu standardowych uk?adów scalonych jednocze?nie i hybrydowych uk?adów scalonych z aktywnymi i pasywnymi komponentami. Grubowarstwowe i cienkowarstwowe uk?ady scalone przecinaj? si? ze sob? w niektórych zastosowaniach. Sprz?t procesowy stosowany w technologii grubych warstw jest stosunkowo prosty, konstrukcja obwodu jest elastyczna, cykl produkcyjny jest krótki, a rozpraszanie ciep?a jest dobre.Dlatego jest szeroko stosowany w obwodach o wysokim napi?ciu, wysokiej mocy i mniej rygorystycznych wymaganiach tolerancji dla komponentów pasywnych. Ponadto, ze wzgl?du na ?atwo?? osi?gni?cia okablowania wielowarstwowego w procesie produkcji obwodów grubowarstwowych, du?e uk?ady scalone mog? by? montowane w ultra du?e uk?ady scalone w bardziej z?o?onych zastosowaniach wykraczaj?cych poza mo?liwo?ci uk?adów scalonych z pojedynczym lub wielofunkcyjne uk?ady scalone mog? by? równie? montowane w wielofunkcyjne komponenty lub nawet ma?e maszyny.

5. Stosowanie i ?rodki ostro?no?ci: (1) Obwody zintegrowane nie mog? przekracza? ich warto?ci granicznych podczas u?ytkowania. Gdy napi?cie zasilacza zmienia si? nie wi?cej ni? 10% warto?ci znamionowej, parametry elektryczne powinny by? zgodne z okre?lonymi warto?ciami. Gdy zasilacz u?ywany w obwodzie jest w??czany i wy??czany, nie mo?e by? generowany chwilowe napi?cie, w przeciwnym razie spowoduje to awari? obwodu.

(2) Temperatura robocza uk?adów scalonych wynosi zazwyczaj mi?dzy -30~85 ℃, i powinny by? instalowane jak najdalej od ?róde? ciep?a.

(3) Podczas r?cznego lutowania uk?adów scalonych nie nale?y u?ywa? lutownic o mocy wi?kszej ni? 45W, a czas lutowania ci?g?ego nie powinien przekracza? 10-sekund.

(4) W przypadku uk?adów scalonych MOS konieczne jest zapobie?enie awarii indukcyjnej bramy elektrostatycznej.

Powy?sze jest wprowadzeniem do technologii uk?adów scalonych. Obecnie uk?ady scalone pojedynczego uk?adu rozwijaj? si? nie tylko w kierunku wy?szej integracji, ale tak?e w kierunku uk?adów liniowych o wysokiej mocy, wysokiej cz?stotliwo?ci i uk?adów analogowych. Jednak pod wzgl?dem mikrofalowych uk?adów scalonych i uk?adów scalonych o du?ej mocy hybrydowe uk?ady scalone cienkowarstwowe i grubowarstwowe nadal maj? zalety. W okre?lonym wyborze ró?ne rodzaje uk?adów scalonych z jednym uk?adem s? cz?sto ??czone z procesami integracji grubowarstwy i cienkiej warstwy, zw?aszcza precyzyjne pod?o?e sieci rezystorowej i kondensatorów rezystorowych s? do??czane do pod?o?y zmontowanych z rezystorów grubowarstwowych i pasm przewodz?cych w celu utworzenia z?o?onego i kompletnego obwodu. W razie potrzeby poszczególne ultra ma?e komponenty mog? by? nawet pod??czone do cz??ci formowych lub ca?ej maszyny.