Precyzja obr¨®bki precyzyjnej w Shenzhen zosta?a poprawiona o wi?cej ni? jeden rz?d wielko?ci w por¨®wnaniu z tradycyjn? obr¨®bk? precyzyjn?.
Precyzyjna obr¨®bka cz??ci w Shenzhen ma specjalne wymagania dotycz?ce materia?¨®w obrabianych, sprz?tu do obr¨®bki, narz?dzi, pomiar¨®w i warunk¨®w ?rodowiskowych oraz wymaga kompleksowego zastosowania precyzyjnych maszyn, precyzyjnych pomiar¨®w, precyzyjnych system¨®w serwo, sterowania komputerowego i innych zaawansowanych technologii. Dok?adno?? obr¨®bki ultraprecyzyjnej jest o wi?cej ni? jeden rz?d wielko?ci wy?sza ni? w przypadku tradycyjnej obr¨®bki precyzyjnej. Opr¨®cz konieczno?ci przyj?cia nowych metod obr¨®bki lub nowych mechanizm¨®w obr¨®bki, istniej? specjalne wymagania dotycz?ce materia?¨®w obrabianych przedmiot¨®w, sprz?tu do obr¨®bki, narz?dzi, pomiar¨®w i warunk¨®w ?rodowiskowych.
Czy wiesz, jak przetwarza? precyzyjne cz??ci w Shenzhen? Sp¨®jrzmy.
Gdy dok?adno?? obr¨®bki precyzyjnej w Shenzhen wynosi w nanometrach, a nawet w jednostkach atomowych (odleg?o?? sieci atomowej wynosi od 0,1 do 0,2 nanometra), nie mo?na ju? dostosowa? metody skrawania i konieczne jest zastosowanie specjalnych metod obr¨®bki, czyli zastosowanie energii chemicznej, energii elektrochemicznej, energii cieplnej lub energii elektrycznej itp., aby te energie przekracza?y energi? wi?zania mi?dzy atomami, usuwaj?c w ten spos¨®b adhezj?, wi?zanie lub deformacj? sieci niekt¨®rych atom¨®w na powierzchni przedmiotu obrabianego, w celu osi?gn?? cel ultraprecyzyjnej obr¨®bki.
Na przyk?ad wytwarzanie p?yt z VLSI polega na u?yciu wi?zki elektron¨®w do ods?oni?cia fotomaski na masce (patrz fotolitografia), tak aby atomy fotomaski uleg?y bezpo?redniej polimeryzacji (lub rozk?adowi) pod wp?ywem elektron¨®w, a nast?pnie spolimeryzowane lub niespolimeryzowane cz??ci s? rozpuszczane przez wywo?ywacza w celu wykonania maski. Wykonywanie p?yt do na?wietlania wi?zk? elektron¨®w wymaga u?ycia ultraprecyzyjnego sprz?tu obr¨®bkowego o dok?adno?ci pozycjonowania sto?u do 0,02 mikrona.
Do tego typu obr¨®bki nale?? mechaniczne polerowanie chemiczne, rozpylanie jon¨®w i implantacja jon¨®w, ekspozycja na wi?zk? elektron¨®w, obr¨®bka wi?zk? laserow?, odparowywanie metali i epitaksja z wi?zek molekularnych. Metody te charakteryzuj? si? niezwykle dok?adn? kontrol? ilo?ci materia?u usuwanego lub dodawanego do warstwy powierzchniowej. Jednak, aby osi?gn?? ultraprecyzyjn? dok?adno?? obr¨®bki, nadal zale?y to od precyzyjnego sprz?tu do obr¨®bki i precyzyjnych system¨®w sterowania oraz wykorzystania ultraprecyzyjnych masek jako po?rednik¨®w.
Obr¨®bka ultraprecyzyjna obejmuje g?¨®wnie ultraprecyzyjne toczenie, szlifowanie luster i szlifowanie. W tokarkach ultraprecyzyjnych do mikrotoczenia stosuje si? monokrystaliczne narz?dzia diamentowe, kt¨®re zosta?y drobno oszlifowane, o grubo?ci skrawania zaledwie oko?o 1,5 mikrona. S? one cz?sto u?ywane do obr¨®bki precyzyjnych, bardzo g?adkich cz??ci powierzchni, takich jak sferyczne, asferyczne i p?askie lustra z materia?¨®w metali nie?elaznych.